Les dépôts de projets se font directement sur le site de l'ANR à l'adresse suivante :
Appel à projets générique Edition 2016: http://www.agence-nationale-recherche.fr/AAPG2016


Merci de prendre connaissance du schéma général d'application de l'accord FRAE/ANR dans le dispositif d'appel à projets générique de l'ANR 2016

LES EXPERTS

Les Experts scientifiques et industriels sont des personnes « extérieures » à la Fondation.

EN SAVOIR +

EPOPE

Effects of Particles On Power Electronics

La disponibilité industrielle de transistors à effet de champ (JFET) et de diodes en carbure de silicium (SiC) permet d'étudier des convertisseurs de puissance fonctionnant à haute température ambiante (plus de 200°C) à destination notamment de l'industrie aéronautique. D'autres domaines d'applications comme le spatial, le forage et les applications militaires font ,état de besoin d'électronique fonctionnant avec des températures de jonctions de 300 à 600°C. Si les composants haute température existent, les moyens de les mettre en oeuvre, ainsi que leur fiabilité à des températures élevées restent à définir.

Notre projet propose donc l'étude de faisabilité d'un module de puissance à base de composants SiC fonctionnant à des températures ambiantes supérieures à 200°C. Il se focalise principalement sur la puce et son environnement immédiat, en considérant les aspects fiabilité et vieillissement.

Partenaires :

Coordinateur LAAS
AIRBUS
ASTRIUM
EADS
IES
IMS

Coordinateur et contact :

AUSTIN PatrickBAFLEUR Marise
austin@laas.frmarise@laas.fr

  • Durée : 36 mois
  • Date de démarrage : 01/10/2008
  • Projet : terminé

 

Fondation de Recherche pour l'Aéronautique et l'Espace
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Tél. : 05 62 88 69 92 - Mail : contact@fnrae.org