COTECH

Dans le cadre de l'onduleur SiC pour les applications haute température, la partie de pilotage de grille et l’élaboration d’un circuit intégré en technologie SOI font l'objet du projet SEFORA, avec le module WP4 dans lequel intervient la société CISSOID pour les aspects d’intégration monolithique (D4.4: Développement d'un circuit SOI pour le driver (juillet 2008) CISSOID). Le périmètre du circuit électronique retenu pour le projet est centré sur la fonction principale de pilotage de grille. L'idée est de compléter ce projet. Il manque plusieurs fonctions tout aussi importantes et qui s’appuient sur des associations électroniques qui ne seront pas couvertes par le projet SEFORA.
Le projet concerne donc l'étage de commande au niveau de l'onduleur à 6 JFETs (étage global de pilotage), avec l'objectif de valider en température des circuits intégrés en technologie SOI, réalisant les fonctions supplémentaires suivantes:
- création d'une alimentation de tension stable en température ;
- génération logique de temps morts (avec une possibilité d'en adapter les valeurs en fonction de la température) ;
- modulation des signaux logiques vis-à-vis de l’étage d’isolation en entrée des étages de pilotage rapprochée de grille;
- modulation de l'onde d'énergie (tension) vis-à-vis de l’étage d’isolation en entrée des étages de pilotage rapprochée de grille; L'isolation entre cet étage de commande global et les étages de pilotage de grile des JFETs sera assurée par des transformateurs, mais une solution optique pourra également être testée.