EPOPE

La disponibilité industrielle de transistors à effet de champ (JFET) et de diodes en carbure de silicium (SiC) permet d'étudier des convertisseurs de puissance fonctionnant à haute température ambiante (plus de 200°C) à destination notamment de l'industrie aéronautique. D'autres domaines d'applications comme le spatial, le forage et les applications militaires font ,état de besoin d'électronique fonctionnant avec des températures de jonctions de 300 à 600°C. Si les composants haute température existent, les moyens de les mettre en oeuvre, ainsi que leur fiabilité à des températures élevées restent à définir.

Notre projet propose donc l'étude de faisabilité d'un module de puissance à base de composants SiC fonctionnant à des températures ambiantes supérieures à 200°C. Il se focalise principalement sur la puce et son environnement immédiat, en considérant les aspects fiabilité et vieillissement.